[发明专利]鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构及其侦测方法在审
| 申请号： | 201810537208.5 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108831925A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 苏炳熏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构，涉及集成电路制造技术，该缺陷侦测结构包括：多根鳍、一图形布局区及多个侦测点，图形布局区为沿一切割线切割多根鳍后形成，多个侦测点位于多根鳍上，且多个侦测点靠近图形布局区，还包括电压源、电流检测单元和比较单元，电压源用于向多个侦测点中的两侦测点施加电压，以使所述两侦测点之间存在一电压差，电流检测单元用于检测流过所述两个侦测点之间的电流，并输出一电流检测信号，比较单元接收电流检测信号及参考电流信号，比较电流检测信号所述参考电流；以侦测鳍的切割缺陷，并根据两侦测点的位置定位缺陷的位置，达到定置侦测缺陷的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测点 侦测 图形布局 电流检测单元 电流检测信号 比较单元 效电晶体 电压源 鳍式场 切割 集成电路制造技术 参考电流信号 比较电流 参考电流 检测信号 施加电压 位置定位 电压差 割线 输出 检测 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构，其特征在于，包括：多根鳍、一图形布局区及多个侦测点，所述图形布局区为沿一切割线切割所述多根鳍后形成，所述多个侦测点位于所述多根鳍上，且所述多个侦测点靠近所述图形布局区，还包括一侦测单元，所述侦测单元包括一电压源、一电流检测单元和一比较单元，所述电压源用于向所述多个侦测点中的两侦测点施加电压，以使所述两侦测点之间存在一电压差，所述电流检测单元用于检测流过所述两个侦测点之间的电流，并输出一电流检测信号，所述比较单元接收所述电流检测信号及一参考电流信号，用于比较所述电流检测信号与所述参考电流。
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