[发明专利]鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构及其侦测方法

说明书

本发明涉及一种鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构，涉及集成电路制造技术，该缺陷侦测结构包括：多根鳍、一图形布局区及多个侦测点，图形布局区为沿一切割线切割多根鳍后形成，多个侦测点位于多根鳍上，且多个侦测点靠近图形布局区，还包括电压源、电流检测单元和比较单元，电压源用于向多个侦测点中的两侦测点施加电压，以使所述两侦测点之间存在一电压差，电流检测单元用于检测流过所述两个侦测点之间的电流，并输出一电流检测信号，比较单元接收电流检测信号及参考电流信号，比较电流检测信号所述参考电流；以侦测鳍的切割缺陷，并根据两侦测点的位置定位缺陷的位置，达到定置侦测缺陷的目的。

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造技术，尤其涉及一种鳍式场效电晶体。

背景技术

随着集成电路制造技术的发展，集成电路的工艺节点不断减小，半导体技术特征尺寸不断减小，传统的平面式晶体管已经无法满足需求，鳍式场效电晶体因运而生，并得到广泛应用。

另外，鳍式场效电晶体技术的导入是次22奈米技术世代半导体产业的一大进展。尽管鳍式场效电晶体正导入量产，但其制程仍存在诸多问题，制程变异也导致电晶体电特性的变动。例如，鳍式场效电晶体切割工艺和光学临近效应(OPC)微影布局图形引起的缺陷是其中一种，其缺陷的侦测技术也一直是业界的难题，进而影响对缺陷的改进。

因此在集成电路制造中，需要一种侦测鳍式场效电晶体切割工艺和光学临近效应(OPC)微影布局图形引起的缺陷的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构，以侦测鳍的切割缺陷，并根据两侦测点的位置定位缺陷的位置，达到定置侦测缺陷的目的。

本发明提供的鳍式场效电晶体的缺陷侦测结构，包括：多根鳍、一图形布局区及多个侦测点，所述图形布局区为沿一切割线切割所述多根鳍后形成，所述多个侦测点位于所述多根鳍上，且所述多个侦测点靠近所述图形布局区，还包括一侦测单元，所述侦测单元包括一电压源、一电流检测单元和一比较单元，所述电压源用于向所述多个侦测点中的两侦测点施加电压，以使所述两侦测点之间存在一电压差，所述电流检测单元用于检测流过所述两个侦测点之间的电流，并输出一电流检测信号，所述比较单元接收所述电流检测信号及一参考电流信号，用于比较所述电流检测信号与所述参考电流。

更进一步的，还包括多个开关管和多个连接点，鳍式场效电晶体包括X方向和Y方向，其中X方向为鳍的长度方向，Y方向为鳍的宽度方向，每一所述多个开关管和每一所述多个连接点沿Y反向设置在鳍上，其中，沿所述Y方向被切割的至少一根鳍在靠近所述切割线处设置侦测点，和/或延伸至所述图形布局区的至少一所述开关管作为侦测点，和/或沿X方向被切割的至少一所述连接点作为侦测点。

更进一步的，所述两个侦测点中的其中一者接地。

更进一步的，沿所述Y方向被切割的每一根鳍在靠近所述切割线处设置侦测点。

更进一步的，所述多个连接点为鳍式场效电晶体的接触层。

本发明还提供一种鳍式场效电晶体的缺陷侦测方法，包括：步骤S1，提供一鳍式场效电晶体，包括多根鳍、多个开关管、多个连接点和一图形布局区，所述图形布局区为沿一切割线切割所述多根鳍后形成，鳍式场效电晶体还包括X方向和Y方向，其中X方向为鳍的长度方向，Y方向为鳍的宽度方向，每一所述多个开关管和每一所述多个连接点沿Y反向设置在鳍上；步骤S2，提供两侦测点于鳍式场效电晶体上；步骤S3，提供一电压源，向所述两侦测点施加电压，使所述两侦测点之间存在一电压差；步骤S4，提供一电流检测单元，检测流过所述两侦测点之间的电流，以输出一电流检测信号；以及步骤S5，提供一比较单元，接收一所述电流检测信号及一参考电流，并比较所述电流检测信号与所述参考电流是否相等，若所述电流检测信号等于所述参考电流，则不存在切割缺陷；若所述电流检测信号不等于所述参考电流，则存在切割缺陷。