[发明专利]一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法在审
| 申请号： | 201810536795.6 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695155A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陈利;张军亮 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市中国（福建）*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别提供一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法。所采用的晶圆是通过直拉法得到的，对晶圆背面减薄后，再通过金属蒸发工艺或溅射工艺，将势垒金属Pt、Ir、AlSi附着于IGBT背面，减薄后的晶圆背面所含有的氧原子溶度将与原先衬底中所含的氧原子溶度基本保持一致。所述背面肖特基结的形成工艺包括势垒金属层的形成和低温退火处理；所述退火处理的温度在400～550℃之间。通过低温退火使晶圆背面一部分的氧原子形成溶度在5×1013cm‑3以上的热施主，在结合处与势垒金属构成肖特基结。本发明通过采用不同的势垒金属和低温处理的条件，能精确控制集电极区掺杂物活性化率，从而精确控制IGBT集电极区的空穴注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆背面 势垒金属 氧原子 溶度 空穴载流子 低温退火 肖特基结 减薄 背面 半导体器件制造 金属蒸发工艺 空穴注入效率 势垒金属层 低温处理 活性化率 集电极区 退火处理 掺杂物 结合处 热施主 直拉法 衬底 溅射 晶圆 附着 制造 | ||
【主权项】：
1.一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法，其特征在于：所述方法包括下述步骤：步骤一，形成IGBT表面电极层；步骤二，背面减薄；步骤三，形成背面肖特基结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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