[发明专利]一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法在审
| 申请号： | 201810536795.6 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695155A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陈利;张军亮 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市中国（福建）*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆背面 势垒金属 氧原子 溶度 空穴载流子 低温退火 肖特基结 减薄 背面 半导体器件制造 金属蒸发工艺 空穴注入效率 势垒金属层 低温处理 活性化率 集电极区 退火处理 掺杂物 结合处 热施主 直拉法 衬底 溅射 晶圆 附着 制造 | ||
1.一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法，其特征在于：所述方法包括下述步骤：
步骤一，形成IGBT表面电极层；
步骤二，背面减薄；
步骤三，形成背面肖特基结。
2.根据权利要求1所述的一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法，其特征在于：所述方法中所采用的晶圆是通过直拉法得到的，晶圆中含有一定的氧溶度，经过高温处理后，晶圆表面的氧原子通过扩散到外界，从而将在晶圆表面与背面形成低氧溶度区。
3.根据权利要求1所述的一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法，其特征在于：所述步骤二中，对晶圆背面减薄，除去背面的低氧溶度区，减薄后的晶圆背面所含有的氧原子溶度将与衬底中所含的氧原子溶度一致；再通过金属蒸发工艺或溅射工艺，将势垒金属Pt、Ir、AlSi附着于IGBT背面，采用不同的势垒金属将精确控制氧热施主的活性化程度。
4.根据权利要求1所述的一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法，其特征在于：所述步骤三中，所述背面肖特基结的形成工艺包括势垒金属层的形成和低温退火处理；所述退火处理的温度在400～550℃之间，通过低温退火使晶圆背面一部分的氧原子形成溶度在5×1013cm-3以上的热施主，在结合处与势垒金属构成肖特基结。
5.根据权利要求4所述的一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法，其特征在于：所述低温退火工艺中，晶圆背面的形成热施主氧原子的溶度可以通过与不同的势垒金属形成的肖特基结来进行控制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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