[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂氮化镓层、反光层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，低温缓冲层、三维成核层和二维恢复层依次层叠在衬底上，未掺杂氮化镓层的第一表面铺设在二维恢复层上，未掺杂氮化镓的第二表面包括凸起部和凹陷部，第二表面为与第一表面相反的表面；反光层铺设在凸起部和凹陷部上，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次铺设在反光层上，P型半导体层、有源层、N型半导体层和反光层的厚度之和小于凸起部的高度。本发明可增加LED的正面出光。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述低温缓冲层、所述三维成核层和所述二维恢复层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述未掺杂氮化镓层的第一表面铺设在所述二维恢复层上，所述未掺杂氮化镓的第二表面包括凸起部和凹陷部，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；所述发光二极管外延片还包括反光层，所述反光层铺设在所述凸起部和所述凹陷部上，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次铺设在所述反光层上，所述P型半导体层、所述有源层、所述N型半导体层和所述反光层的厚度之和小于所述凸起部的高度。