[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述低温缓冲层、所述三维成核层和所述二维恢复层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述未掺杂氮化镓层的第一表面铺设在所述二维恢复层上，所述未掺杂氮化镓的第二表面包括凸起部和凹陷部，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；所述发光二极管外延片还包括反光层，所述反光层铺设在所述凸起部和所述凹陷部上，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次铺设在所述反光层上，所述P型半导体层、所述有源层、所述N型半导体层和所述反光层的厚度之和小于所述凸起部的高度；所述凸起部包括曲面，所述曲面与所述凹陷部相交，所述曲面上各个点的切平面与所述凹陷部之间的夹角为钝角；所述反光层的折射率为所述N型半导体层的折射率的80％以下，所述反光层的材料采用二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述反光层由单层纳米颗粒组成。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述反光层的厚度为10nm～30nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部的高度为2μm～8μm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凹陷部与所述第一表面之间的距离为1μm～3μm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部上设有向所述凸起部内延伸的凹坑。

7.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层和未掺杂氮化镓层；

采用光刻技术和刻蚀技术对所述未掺杂氮化镓层图形化，在所述未掺杂氮化镓的表面上形成凸起部和凹陷部；所述凸起部包括曲面，所述曲面与所述凹陷部相交，所述曲面上各个点的切平面与所述凹陷部之间的夹角为钝角；

采用物理气相沉积技术在所述凸起部和所述凹陷部上形成反光层；

采用化学气相沉积技术在所述反光层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述P型半导体层、所述有源层、所述N型半导体层、所述反光层的厚度之和小于所述凸起部的高度；

其中，所述反光层的材料采用二氧化硅，所述反光层的折射率为所述N型半导体层的折射率的80％以下。