[发明专利]一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201810516871.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108841373B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈小朋;邵蕾;谢阳腊 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;梁文惠 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管。该合成方法包括：步骤S1，提供含CdSe量子点核的溶液；步骤S2，在CdSe量子点核上外延生长多个Zn |
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| 搜索关键词： | 一种 红光 量子 合成 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种量子点的合成方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供含CdSe量子点核的溶液；步骤S2，在所述CdSe量子点核上外延生长多个ZnxCd1‑xS单层壳，在远离所述CdSe量子点核的方向上，各所述ZnxCd1‑xS单层壳的x由0逐渐增加且最大值取0.5～0.8之间的数值，得到含CdSe/ZnxCd1‑xS量子点的体系；可选的步骤S3，对步骤S2所述的CdSe/ZnxCd1‑xS量子点再继续包覆ZnS壳层。
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