[发明专利]一种高性能的静电保护电路在审
| 申请号： | 201810516332.3 | 申请日： | 2018-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108565849A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈磊 | 申请（专利权）人： | 丹阳恒芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212300 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能的静电保护电路，包括：一二极管保护电路，一高压产生电路，一检测电路，一缓存电路，一延时电路，一泄放电路。所述高压产生电路和延时电路，都由PMOS管和NMOS组合而成。所述缓存电路，由三个反相器、一个NMOS管、一个PMOS管、一个电阻和一个电容组成。在芯片正常工作的时候，静电保护电路不工作，当发生静电事件时，本发明能产生更高的电压来泄放静电产生的电流，也能增加泄放静电的时间，从而使得芯片具有更好的抗静电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 静电保护电路 高压产生电路 缓存电路 延时电路 泄放 芯片 二极管保护电路 抗静电性能 检测电路 静电产生 静电事件 泄放电路 静电 电容 反相器 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种高性能的静电保护电路，其特征在于，包括：一二极管保护电路，由第一二极管D1和第二二极管D2组成，用于提供泄流通路；一高压产生电路，由第二NMOS管NM2、第二PMOS管PM2和第三PMOS管PM3组成，用于给泄放管的栅极提供更高的驱动电压；一检测电路，由第一电阻R1和第一电容C1组成，用于检测是否发生静电事件；一缓存电路，由第一反相器INV1，第二反相器INV2，第三反相器INV3，第二电阻R2，第二电容C2，第一NMOS晶体管NM1和第一PMOS晶体管PM1组成；一延时电路，由第四NMOS管NM4和第四PMOS管PM4组成，用于增加泄放静电的时间；一泄放电路，由第三NMOS晶体管NM3组成，用于泄放主要的静电电流。
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