[发明专利]一种高性能的静电保护电路

权利要求书

1.一种高性能的静电保护电路，其特征在于，包括：

一二极管保护电路，由第一二极管D1和第二二极管D2组成，用于提供泄流通路；

一高压产生电路，由第二NMOS管NM2、第二PMOS管PM2和第三PMOS管PM3组成，用于给泄放管的栅极提供更高的驱动电压；

一检测电路，由第一电阻R1和第一电容C1组成，用于检测是否发生静电事件；

一缓存电路，由第一反相器INV1，第二反相器INV2，第三反相器INV3，第二电阻R2，第二电容C2，第一NMOS晶体管NM1和第一PMOS晶体管PM1组成；

一延时电路，由第四NMOS管NM4和第四PMOS管PM4组成，用于增加泄放静电的时间；

一泄放电路，由第三NMOS晶体管NM3组成，用于泄放主要的静电电流。

2.如权利要求1所述的一种高性能的静电保护电路，其特征在于，所述二极管保护电路，芯片引脚端、PM3管的漏极、二极管D1的正极、二极管D2的负极和内部电路的输入端连接在一起，该点标记为VA点，二极管D1的负极和VDD相连，二极管D2的正极和地相连。

3.如权利要求1所述的一种高性能的静电保护电路，其特征在于，所述高压产生电路，PM3管的漏极和VA点相连，PM3管的源极和PM2管的源极相连并标记为VDDH，PM3管的栅极和NM2管的栅极相连接在一起，该点标记为VB，PM2管的漏极和NM2管的漏极相连接，NM2管的源极接地。

4.如权利要求1所述的一种高性能的静电保护电路，其特征在于，所述的检测电路，第一电容C1和第一电阻R1串联，串联的点作为检测电路的输出端，电容C1的另外一端和地连接，电阻R1的另外一端和电源VDD连接。

5.如权利要求1所述的一种高性能的静电保护电路，其特征在于，所述缓存电路，检测电路的输出端、第一反相器INV1的输入端和第三反相器INV3的输入端相连在一起，第一反相器INV1的输出端和第二反相器INV2的输入端连接，第二反相器INV2的输出端和第二PMOS管PM2的栅极相连接，INV3的输出端和第一NMOS管NM1的栅极连接，INV1的电源端、INV2的电源端和INV3的电源端接VDD，INV1的地端、INV2的地端和INV3的地端接地，NM1管的源极接地，NM1管的漏极、第二电容C2的一端、第二电阻R2的一端和第二NMOS管NM2的栅极连接在一起，电容C2的另外一端接地，电阻R2的另外一端和第一PMOS管PM1的漏极连接，PM1管的源极接VDD，PM1管的栅极和NM3管的栅极相连接，该点标为VC。

6.如权利要求1所述的一种高性能的静电保护电路，其特征在于，所述延时电路，NM4管的栅极接VDD，NM4管的漏极接PM2管的漏极和NM2管的漏极，NM4管的源极、PM4管的漏极与NM3管的栅极相连，该点也就是VC点，PM4管的源极接VA点，PM4管的栅极接VB点。

7.如权利要求1所述的一种高性能的静电保护电路，其特征在于，所述泄放电路，第三NMOS管NM3源极和地连接，NM3管的漏极和VDD连接，NM3管的栅极连接至VC点。