[发明专利]半导体装置、电子系统及形成半导体装置结构的方法

摘要

本申请案涉及半导体装置、电子系统及形成半导体装置结构的方法。一种形成半导体装置结构的方法包括形成包括堆叠层的堆叠结构。所述堆叠层中的每一者包括包含第一材料的第一结构及与所述第一结构纵向相邻的包含第二不同材料的第二结构。在所述堆叠结构上形成图案化硬掩模结构。在所述图案化硬掩模结构中的开口内形成电介质结构。在所述电介质结构及所述图案化硬掩模结构上形成光致抗蚀剂结构。使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程以形成在所述堆叠结构内延伸到不同深度的孔隙。在所述孔隙内的所述堆叠结构的侧表面上形成电介质结构。形成导电接触结构以纵向延伸到所述孔隙的底部。还描述半导体装置结构、半导体装置及电子系统。

主权项

1.一种形成半导体装置结构的方法，其包括：形成包括堆叠层的堆叠结构，所述堆叠层中的每一者包括包含第一材料的第一结构及与所述第一结构纵向相邻的包含第二不同材料的第二结构；在所述堆叠结构上形成图案化硬掩模结构；在所述图案化硬掩模结构中的开口内形成电介质结构；在所述电介质结构及所述图案化硬掩模结构上形成光致抗蚀剂结构；使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程以选择性地去除所述光致抗蚀剂结构的部分、所述电介质结构中未被所述光致抗蚀剂结构的剩余部分覆盖的部分及所述堆叠结构中未被所述图案化硬掩模结构、及所述光致抗蚀剂结构的所述剩余部分中的一或多者覆盖的部分，以形成在所述堆叠结构内延伸到不同深度的孔隙；在所述孔隙内的所述堆叠结构的侧表面上形成电介质结构；及形成纵向延伸到所述孔隙的底部的导电接触结构。