[发明专利]半导体装置、电子系统及形成半导体装置结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置结构的方法，其包括：

形成包括堆叠层的堆叠结构，所述堆叠层中的每一者包括包含第一材料的第一结构及与所述第一结构纵向相邻的包含第二不同材料的第二结构；

在所述堆叠结构上形成图案化硬掩模结构；

在所述图案化硬掩模结构中的开口内形成电介质结构以使得所述电介质结构的上表面与所述图案化硬掩模结构的上表面基本上共面；

在所述电介质结构的所述上表面上及所述图案化硬掩模结构的所述上表面上形成光致抗蚀剂结构；

使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程以选择性地去除所述光致抗蚀剂结构的部分、所述电介质结构中未被所述光致抗蚀剂结构的剩余部分覆盖的部分及所述堆叠结构中未被所述图案化硬掩模结构、及所述光致抗蚀剂结构的所述剩余部分中的一或多者覆盖的部分，以形成在所述堆叠结构内延伸到不同深度的孔隙，所述孔隙包括第一孔隙，其在第一横向方向上横向介于第二孔隙与第三孔隙之间，所述第一孔隙展现与所述第二孔隙基本上相同的横向尺寸并展现与所述第三孔隙不同的横向尺寸；

在所述孔隙内的所述堆叠结构的侧表面上形成额外的电介质结构以使得所述额外的电介质结构的上表面与所述图案化硬掩模结构的上表面基本上共面；及

形成纵向延伸到所述孔隙的底部的导电接触结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述堆叠结构上形成图案化硬掩模结构包括：

在所述堆叠结构上形成包括金属材料的硬掩模结构；及

在所述硬掩模结构中形成所述开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述堆叠结构上形成包括金属材料的硬掩模结构包括在所述堆叠结构上形成氧化钨及氧化铝中的一或多者。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程包括：

执行第一材料去除过程，其包括：

去除所述光致抗蚀剂结构的第一宽度以露出所述电介质结构中的第一者；及

选择性地去除所述电介质结构中的所述第一者及下伏于所述电介质结构中的所述第一者的所述堆叠层中的第一者的所述第二结构的部分；及

在所述第一材料去除过程之后执行第二材料去除过程，所述第二材料去除过程包括：

去除所述光致抗蚀剂结构的第二宽度以露出所述电介质结构中的第二者；

选择性地去除所述堆叠层中的所述第一者的所述第一结构的暴露部分；及

选择性地去除所述电介质结构中的第二者、下伏于所述电介质结构中的所述第二者的所述堆叠层中的所述第一者的所述第二结构的另一部分、及下伏于所述堆叠层中的所述第一者的所述第一结构的所述暴露部分的所述堆叠层中的第二者的所述第二结构的部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中选择性地去除所述电介质结构中的所述第一者及所述堆叠层中的第一者的所述第二结构的部分包括使所述电介质结构中的所述第一者及所述堆叠层中的所述第一者经受仅一个干式蚀刻工艺。

6.根据权利要求4所述的方法，其中：

选择性地去除所述堆叠层中的所述第一者的所述第一结构的暴露部分包括使所述第一结构的所述暴露部分经受第一单个干式蚀刻工艺；及

选择性地去除所述电介质结构中的所述第二者、下伏于所述电介质结构中的所述第二者的所述堆叠层中的所述第一者的所述第二结构的另一部分、及下伏于所述堆叠层中的所述第一者的所述第一结构的所述暴露部分的所述堆叠层中的第二者的所述第二结构的部分包括使所述电介质结构中的所述第二者、所述堆叠层中的所述第一者的所述第二结构的所述另一部分、及所述堆叠层中的所述第二者的所述第二结构的所述部分经受第二单个干式蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程包括形成所述孔隙中的每一者以使所述孔隙彼此纵向延伸到所述堆叠结构的所述堆叠层中的不同者。