[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810513295.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108933165B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘贤琯;金孝珍;河龙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：鳍型图案，其形成在衬底上并包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，其与第一侧壁和第二侧壁接触放置并填充沟槽；以及外延图案，其形成在鳍型图案上并包括第一外延层和形成在第一外延层上的第二外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍型图案，其从衬底突出并且包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，其与所述第一侧壁和所述第二侧壁接触放置并且填充所述沟槽；以及外延图案，其形成在所述鳍型图案上并且包括第一外延层和形成在所述第一外延层上的第二外延层，其中所述第一外延层包括第一浓度的第一材料，以及所述第二外延层包括第二浓度的所述第一材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810513295.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：激光造型大功率半导体器件芯片
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
