[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍型图案，其从衬底突出并且包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；

场绝缘膜，其与所述第一侧壁和所述第二侧壁接触放置并且填充所述沟槽；以及

外延图案，其形成在所述鳍型图案上并且包括第一外延层和形成在所述第一外延层上的第二外延层，其中

所述第一外延层包括第一浓度的第一材料，以及

所述第二外延层包括第二浓度的所述第一材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述鳍型图案具有垂直于所述沟槽的底表面的鳍中心线，

所述鳍中心线穿过连接第一点和第二点的鳍边界线的中心，所述场绝缘膜的顶表面和所述第一侧壁在所述第一点处相遇，所述场绝缘膜的顶表面和所述第二侧壁在所述第二点处相遇，

所述第二外延层包括设置在所述鳍中心线的相反侧上的第一部分和第二部分，

在相对于所述沟槽的所述底表面的第一高度处，所述第一部分的宽度不同于所述第二部分的宽度，

所述第一外延层包括设置在所述鳍中心线的相反侧上的第三部分和第四部分，以及

在相对于所述沟槽的所述底表面的第二高度处，所述第三部分的宽度与所述第四部分的宽度相同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述第一部分包括第一上倾斜表面和第一下倾斜表面，

所述第二部分包括第二上倾斜表面和第二下倾斜表面，

所述第一上倾斜表面平行于所述第二下倾斜表面，以及

所述第一下倾斜表面平行于所述第二上倾斜表面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一上倾斜表面、所述第一下倾斜表面、所述第二上倾斜表面和所述第二下倾斜表面具有[111]晶面。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述第一部分包括第一上倾斜表面和第一下倾斜表面，以及

所述第二部分的所述外部的至少部分被圆化。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述第二部分包括第二上倾斜表面和第二下倾斜表面，以及

所述第二下倾斜表面被圆化。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一上倾斜表面、所述第一下倾斜表面和所述第二上倾斜表面具有[111]晶面。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述外延图案还包括插置在所述第一外延层与所述第二外延层之间的第三外延层，

所述第三外延层包括设置在所述鳍中心线的相反侧上的第五部分和第六部分，以及

在相对于所述沟槽的所述底表面的第三高度处，所述第五部分的宽度与所述第六部分的宽度相同。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述外延图案还包括插置在所述第一外延层与所述第二外延层之间的第三外延层，

所述第三外延层包括设置在所述鳍中心线的相反侧上的第五部分和第六部分，

在相对于所述沟槽的所述底表面的所述第一高度处，所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度，

在相对于所述沟槽的所述底表面的第三高度处，所述第五部分的宽度小于所述第六部分的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二浓度不同于所述第一浓度。