[发明专利]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 201810510712.6 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108539578B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 车相辉;曹晨涛;赵润 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请适用于激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括：衬底、在衬底上由下至上设有的缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱，上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层，所述缓冲层和所述N型限制层之间设有至少两层扩展波导层，通过本申请可以降低垂直发散角的同时提高耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 缓冲层 衬底 激光器技术领域 电极接触层 腐蚀阻挡层 多量子阱 上波导层 上限制层 下波导层 下限制层 耦合效率 波导层 发散角 两层 申请 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：衬底、在衬底上由下至上设有的缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱，上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层，其特征在于，所述缓冲层和所述N型限制层之间设有至少两层扩展波导层，所述缓冲层和所述N型限制层之间由下至上设有上扩展波导层和下扩展波导层，所述上扩展波导层和所述下扩展波导层之间设有用于拉大光场的隔离层。
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