[发明专利]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 201810510712.6 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108539578B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 车相辉;曹晨涛;赵润 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 缓冲层 衬底 激光器技术领域 电极接触层 腐蚀阻挡层 多量子阱 上波导层 上限制层 下波导层 下限制层 耦合效率 波导层 发散角 两层 申请 垂直 | ||
1.一种半导体激光器，包括：衬底、在衬底上由下至上设有的缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱，上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层，其特征在于，所述缓冲层和所述N型限制层之间设有至少两层扩展波导层，所述缓冲层和所述N型限制层之间由下至上设有上扩展波导层和下扩展波导层，所述上扩展波导层和所述下扩展波导层之间设有用于拉大光场的隔离层。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述下扩展波导层为N型InGaAlAs材料，所述隔离层为N型InP材料，所述上扩展波导层为N型InGaAlAs材料。
3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述下扩展波导层的厚度为0.1μm～0.2μm，所述隔离层的厚度为0.4μm～0.8μm，所述上扩展波导层的厚度为0.1μm～0.2μm。
4.如权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述下扩展波导层的厚度为0.15μm，所述隔离层的厚度为0.6μm，所述上扩展波导层的厚度为0.12μm。
5.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述P型限制层和所述电极接触层设置在所述腐蚀阻挡层的纵向中部构成脊波导，所述脊波导的宽度为2.5um，深度为1.8um。
6.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述下波导层的厚度为0.05μm～0.15μm，所述上波导层的厚度为0.05μm～0.15μm，所述上扩展波导层与所述多量子阱之间的距离为1μm～2μm。
7.如权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述下波导层的厚度为0.1μm，所述上波导层的厚度为0.1μm，所述上扩展波导层与所述多量子阱之间的距离为1.4μm。
8.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述下波导层、所述多量子阱和所述上波导层均采用非掺杂的AlGaInAs材料，所述下限制层采用N型AlGaInAs材料。
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