[发明专利]一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810509583.9 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108766886A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭;陈张发 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上淀积一层金属薄膜；步骤S02：图形化金属薄膜；步骤S03：以氢氟酸和双氧水为刻蚀剂，对铺有金属薄膜图形的半导体衬底表面进行整片刻蚀，在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部；步骤S04：在鳍部的顶部和侧壁形成横跨鳍部的栅极结构；其中，通过利用金属颗粒作为局域阴极和催化剂，与作为局域阳极的半导体衬底颗粒之间发生局域微观电化学反应，将金属薄膜图形下方区域的半导体衬底表面优先腐蚀形成凹陷，从而在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部。本发明可以精确地控制鳍部的宽度和高度。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 金属薄膜图形 衬底 鳍式场效应晶体管 半导体 半导体衬底表面 凸起 双氧水 阴极 图形化金属 微观电化学 阳极 金属薄膜 金属颗粒 栅极结构 刻蚀剂 氢氟酸 凹陷 侧壁 淀积 催化剂 薄膜 横跨 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上淀积一层金属薄膜；步骤S02：图形化金属薄膜；步骤S03：以氢氟酸和双氧水为刻蚀剂，对铺有金属薄膜图形的半导体衬底表面进行整片刻蚀，在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部；步骤S04：在鳍部的顶部和侧壁形成横跨鳍部的栅极结构；其中，通过利用金属颗粒作为局域阴极和催化剂，与作为局域阳极的半导体衬底颗粒之间发生局域微观电化学反应，将金属薄膜图形下方区域的半导体衬底表面优先腐蚀形成凹陷，从而在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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