[发明专利]一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810509583.9 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108766886A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭;陈张发 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍部 金属薄膜图形 衬底 鳍式场效应晶体管 半导体 半导体衬底表面 凸起 双氧水 阴极 图形化金属 微观电化学 阳极 金属薄膜 金属颗粒 栅极结构 刻蚀剂 氢氟酸 凹陷 侧壁 淀积 催化剂 薄膜 横跨 腐蚀 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上淀积一层金属薄膜；
步骤S02：图形化金属薄膜；
步骤S03：以氢氟酸和双氧水为刻蚀剂，对铺有金属薄膜图形的半导体衬底表面进行整片刻蚀，在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部；
步骤S04：在鳍部的顶部和侧壁形成横跨鳍部的栅极结构；
其中，通过利用金属颗粒作为局域阴极和催化剂，与作为局域阳极的半导体衬底颗粒之间发生局域微观电化学反应，将金属薄膜图形下方区域的半导体衬底表面优先腐蚀形成凹陷，从而在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，根据半导体衬底表面与金属薄膜图形表面之间在刻蚀速率上的相对差异，确定金属薄膜图形的宽度和高度尺寸，以精确控制所需形成的鳍部的宽度和高度。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，步骤S03中，以金属薄膜被腐蚀干净作为刻蚀终点。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述金属薄膜材料淀积厚度为50nm～200nm。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，在步骤S04之前，还包括对半导体衬底表面进行清洗的步骤。
6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，进行清洗时，使用去离子水作为清洗剂。
7.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，清洗自停止刻蚀起的0～2分钟内进行。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述金属薄膜材料为Au、Ag或Pt。
10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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