[发明专利]氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质

摘要

本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的步骤之间实施在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤，来促进在所形成的氮化硅膜的Si‑N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力。

主权项

1.一种氮化硅膜的成膜方法，在处理容器内配置多个被处理基板，针对这些多个被处理基板重复进行多次如下循环来针对多个被处理基板统一形成规定膜厚的氮化硅膜，所述循环包括：第一吹扫步骤，将所述处理容器内加热至规定温度并且将所述处理容器内设为规定的减压状态，利用非活性气体对所述处理容器内进行吹扫；成膜原料气体吸附步骤，使包括含氯的硅化合物的成膜原料气体供给到所述处理容器内并吸附于被处理基板；第二吹扫步骤，利用非活性气体对处理容器内进行吹扫；以及氮化步骤，向所述处理容器内供给氮化气体来使构成所述氮化硅膜的元素氮化，该氮化硅膜的成膜方法的特征在于，在各循环中，在所述成膜原料气体吸附步骤与所述氮化步骤之间实施在所述处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的氢自由基吹扫步骤，来促进所形成的氮化硅膜的Si‑N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力。