[发明专利]氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质

权利要求书

1.一种氮化硅膜的成膜方法，在处理容器内配置多个被处理基板，针对这些多个被处理基板重复进行多次如下循环来针对多个被处理基板统一形成规定膜厚的氮化硅膜，所述循环包括：第一吹扫步骤，将所述处理容器内加热至规定温度并且将所述处理容器内设为规定的减压状态，利用非活性气体对所述处理容器内进行吹扫；成膜原料气体吸附步骤，使包括含氯的硅化合物的成膜原料气体供给到所述处理容器内并吸附于被处理基板；第二吹扫步骤，利用非活性气体对处理容器内进行吹扫；以及氮化步骤，向所述处理容器内供给氮化气体来使构成所述氮化硅膜的元素氮化，该氮化硅膜的成膜方法的特征在于，

在各循环中，在所述成膜原料气体吸附步骤与所述氮化步骤之间实施在所述处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的氢自由基吹扫步骤，来促进所形成的氮化硅膜的Si-N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力，

其中，邻接的被处理基板之间的间距为16mm以上。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

邻接的被处理基板之间的间距为32mm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

在所述氮化步骤中，利用等离子体生成所述氮化气体的活性种，利用该活性种进行氮化。

4.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

在所述成膜原料气体吸附步骤与所述第二吹扫步骤之间实施所述氢自由基吹扫步骤。

5.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

将所供给的气体中的H₂气体的比率设为50％以上来进行所述氢自由基吹扫步骤。

6.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

在所述氢自由基吹扫步骤中，通过对氢气进行等离子体化来生成所述氢自由基。

7.根据权利要求6所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

在所述氢自由基吹扫步骤中，对所述氢气进行等离子体化时的高频功率为100W以上。

8.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

所述氢自由基吹扫步骤的时间为10sec～60sec。

9.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

所述含氯的硅化合物是从包括二氯硅烷、单氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅以及六氯乙硅烷的群中选择出的至少一种化合物。

10.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，

所述氮化气体是从包括NH₃气体和N₂气体的群中选择出的至少一种气体。