[发明专利]显示器件有效
| 申请号： | 201810506042.0 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN108766352B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 外园伸秋;山下淳一;小野山有亮 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233;G09G3/3291;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明期望提供一种具有较不易受基板效应影响的构造及结构的发光元件、包括所述发光元件的显示器件以及包括所述显示器件的电子装置，所述发光元件包括发光部及用于驱动所述发光部的驱动电路。所述驱动电路至少包括：(A)驱动晶体管，其为p沟道型场效应晶体管，(B)图像信号写入晶体管，(C)发光控制晶体管，以及(D)电容器。所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管及所述发光控制晶体管中的每一者均设置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半导体基板中。所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域电连接至其中形成有所述驱动晶体管的所述n型阱。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其包括发光部及用于驱动所述发光部的驱动电路，其中，所述驱动电路至少包括：(A)驱动晶体管，其为p沟道型场效应晶体管，(B)图像信号写入晶体管，(C)发光控制晶体管，以及(D)电容器，其中，所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管及所述发光控制晶体管中的每一者均设置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半导体基板中，以及所述驱动晶体管包括：(A‑1)第一源极/漏极区域，其电连接至其中形成有所述驱动晶体管的所述n型阱。
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