[发明专利]显示器件

说明书

本发明期望提供一种具有较不易受基板效应影响的构造及结构的发光元件、包括所述发光元件的显示器件以及包括所述显示器件的电子装置，所述发光元件包括发光部及用于驱动所述发光部的驱动电路。所述驱动电路至少包括：(A)驱动晶体管，其为p沟道型场效应晶体管，(B)图像信号写入晶体管，(C)发光控制晶体管，以及(D)电容器。所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管及所述发光控制晶体管中的每一者均设置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半导体基板中。所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域电连接至其中形成有所述驱动晶体管的所述n型阱。

本申请是申请日为2013年10月21日、发明名称为“发光元件、显示器件及电子装置”的申请号为201310495174.5专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光元件、一种包括所述发光元件的显示器件以及一种包括所述显示器件的电子装置。

背景技术

近来，包括有机电致发光元件(在下文中有时被简称为缩写形式“有机EL元件”)的有机电致发光显示器件(在下文中有时被简称为缩写形式“有机EL显示器件”)作为液晶显示器件的替代品而受到关注。有机EL显示器件为自发光类型且具有低功耗的特性。此外，期望有机EL显示器件能充分响应高分辨率及高速视频信号，因此能锐意进行对有机EL显示器件的实用性及商品化的开发。

有机EL显示器件包括多个发光元件，所述发光元件分别具有发光部EL及用于所述驱动发光部EL的驱动电路。例如，图14中所示的等效电路图图示了包括具有三个晶体管及两个电容器的驱动电路的发光元件(例如未经审查的日本专利申请公开案第2008-287141号)。图14中的驱动电路包括采样晶体管Tr₁、驱动晶体管Tr₂、开关晶体管Tr₃、存储电容器C_S及子电容器C_sub。这些晶体管是p沟道型晶体管。所述驱动电路连接至第一扫描线WS、第二扫描线DS及信号线SL。所述有机EL显示器件因此被构造成可具有固定的电源电压，从而使所述有机EL显示器件的帧(frame)变窄且使用寿命延长。此外，与驱动电路包括n沟道型晶体管的情形相比，p沟道型晶体管所表现出的晶体管之间的性质变化更小。

在未经审查的日本专利申请公开案第2008-287141号中所公开的技术中，驱动电路由薄膜晶体管(TFT晶体管)构成。如果驱动电路由设置于硅半导体基板上的场效应晶体管而非薄膜晶体管构成，则应考虑基板效应(substrate effect)(晶体管的阈值电压由于源极区域S与硅半导体基板之间的电位差而发生变化的现象)的影响。可通过下列表达式(1)来获得由于p沟道型MOS晶体管中的基板效应而发生阈值电压变化之后的阈值电压V'_th的近似值。

V'_th≈V_th(0)-γ(V_sb)^1/2 (1)

在此表达式中，

V_sb：源极区域与硅半导体基板之间的电压，

V_th(0)：当源极区域与硅半导体基板之间的电压为0伏特时的阈值电压，以及

γ：取决于硅半导体基板的掺杂的常数。

在p沟道型MOS晶体管中，通常将形成于硅半导体基板中的n型阱的电位视为公共基板电位。基板电位被固定在驱动电路中所用的最高电位处。当驱动晶体管Tr₂的源极区域S的电位恒定时，则源极区域S与硅半导体基板(即n型阱)之间的电压V_sb恒定，因此不产生基板效应。然而，未经审查的日本专利申请公开案第2008-287141号中所公开的对驱动晶体管Tr₂执行的阈值电压校正处理在阈值电压校正时段与发光时段之间改变驱动晶体管Tr₂的源极区域S中的电位，从而改变V_sb。V_sb的变化会产生能够影响发光部EL的发光条件的基板效应。