[发明专利]一种阻变层自选通阻变存储器及其构建方法与应用有效
| 申请号： | 201810501815.6 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108735898B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋然;季昊;张鑫磊 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 叶亚林 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种阻变层自选通阻变存储器及其构建方法与应用。所述阻变存储器，包括堆叠层；所述堆叠层包括自外而内依次设置的第四Hf层、第四Si |
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| 搜索关键词： | 一种 阻变层 自选 通阻变 存储器 及其 构建 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种阻变层自选通阻变存储器，其特征在于，包括堆叠层；所述堆叠层包括自外而内依次设置的第四Hf层、第四Si3N4层、第三Hf层、第三Si3N4层、第二Hf层、第二Si3N4层、第一Hf层和第一Si3N4层；所述堆叠层的左右两侧分别设置有底电极和顶电极；所述底电极与第四Si3N4层、第三Si3N4层和第二Hf层连通并设置在第二Hf层的上表面；所述顶电极与整个堆叠层连通并设置在第一Si3N4层的上表面。
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