[发明专利]LED发光源、LED发光源的制造方法及其直下式显示器有效

专利信息
申请号: 201810497523.X 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN110491982B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 叶宏立;林威冲;吕格维 申请(专利权)人: 东贝光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/54
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨;侯奇慧
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种LED发光源、LED发光源的制造方法及其直下式显示器。LED发光源包含一基座、至少一LED芯片、一抗硫化结构、一光激发结构、一封胶结构及一保护结构,基座具有上缘并由上缘框围形成发光区域,基座上缘并向内凹设形成安装内面,LED芯片通过覆晶或结合金属打线的方式设置于安装内面底部位置,抗硫化结构延续且不断开地成形于安装内面上所有金属材料的表面,光激发结构置于基座内且包含有至少一荧光粉含有硫、铅或磷其中之一;封胶结构置于基座内供以将光激发结构及LED芯片封装于基座内,抗硫化结构隔绝金属材料与封胶结构直接接触,且封胶结构为有机硅胶并含有白金触媒;保护结构通过点胶方式设置于基座并覆盖封胶结构。
搜索关键词: led 光源 制造 方法 及其 直下式 显示器
【主权项】:
1.一种LED发光源,其特征在于,包含:/n一基座,具有一上缘并由该上缘框围形成一发光区域,且该基座沿该上缘向内凹设形成一安装内面,该安装内面上设有一反射层;/n至少一LED芯片,通过覆晶方式设置于该安装内面的底部位置;/n一抗硫化结构,该抗硫化结构延续且不断开地成形于该反射层及该LED芯片的表面;/n一光激发结构,包含有至少一荧光粉含有硫、铅或磷其中之一,且该光激发结构置于该基座内;/n一封胶结构,置于该基座内供以将该光激发结构及该LED芯片封装于该基座内,该抗硫化结构隔绝该反射层及该LED芯片与该封胶结构直接接触,且该封胶结构为有机硅胶并含有白金触媒;及/n一保护结构,通过点胶方式设置于该基座并覆盖该封胶结构;其中,该封胶结构的硬度小于该保护结构。/n
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