[发明专利]LED发光源、LED发光源的制造方法及其直下式显示器

权利要求书

1.一种LED发光源，其特征在于，包含：

一基座，具有一上缘并由该上缘框围形成一发光区域，且该基座沿该上缘向内凹设形成一安装内面，该安装内面上设有一反射层；

至少一LED芯片，结合两条金属打线并固晶设置于该安装内面的底部位置：

一抗硫化结构，该抗硫化结构延续且不断开地成形于该反射层、该金属打线及该LED芯片的表面；

一光激发结构，包含有至少一荧光粉含有硫、铅或磷其中之一，且该光激发结构置于该基座内；

一封胶结构，置于该基座内供以将该光激发结构及该LED芯片封装于该基座内，该抗硫化结构隔绝该反射层、该金属打线及该LED芯片与该封胶结构直接接触，且该封胶结构为有机硅胶并含有白金触媒；及

一保护结构，通过点胶方式设置于该基座并覆盖该封胶结构；其中，该封胶结构的硬度小于该保护结构，

该封胶结构的硬度介于D20～D40，该保护结构的硬度介于D60～D80，该抗硫化结构的厚度介于2～10μm。

2.如权利要求1所述的LED发光源，其特征在于，更包含：多个均光颗粒，散布设置于该保护结构内，且该多个均光颗粒选自SiO₂、BN、Al₂O₃、TiO₂其中之一或其结合。

3.如权利要求2所述的LED发光源，其特征在于，该多个均光颗粒相对该保护结构的重量百分浓度介于5%～15%。

4.如权利要求3所述的LED发光源，其特征在于，该保护结构的材料选自有机硅胶。

5.如权利要求1所述的LED发光源，其特征在于，该基座为透明材质。

6.如权利要求5所述的LED发光源，其特征在于，该保护结构通过点胶方式设置于该基座的该上缘，且该保护结构的面积大于该发光区域的面积。

7.如权利要求6所述的LED发光源，其特征在于，该基座的该上缘成形为阶梯状。

8.如权利要求2所述的LED发光源，其特征在于，该LED芯片的发光波长介于400～460nm，且该光激发结构包含一绿色荧光粉及一第一红色荧光粉，且该绿色荧光粉含硫，该第一红色荧光粉不含硫；其中，该第一红色荧光粉选自T₂XF₆:Mn⁴⁺或M2Si5N8:Eu2+或CaAlSiN₃:Eu²⁺其中之一；T选自Li、Na、K、Rb其中之一，X选自Ge、Si、Sn、Zr、Ti其中之一；M选自Ca、Sr、Ba其中之一。

9.如权利要求2所述的LED发光源，其特征在于，该LED芯片的发光波长介于400～460nm，且该光激发结构包含一绿色荧光粉及一第二红色荧光粉，且该绿色荧光粉含硫，该第二红色荧光粉亦含硫；其中，该第二红色荧光粉选自CaS:Eu²⁺、SrS:Eu²⁺或Ba₂ZnS₃:Mn²⁺或红色量子点其中之一。