[发明专利]一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201810496376.4 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110518075B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;廖明墩;曾俞衡;闫宝杰;高平奇;王丹;童慧;全成;张志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用。所述的制备方法包括：提供具有黑硅绒面结构的硅片，使所述硅片与混合溶液接触，反应形成氧化硅薄膜，其中，所述混合溶液包括浓硝酸和/或过氧化氢、浓硫酸和添加剂；以及，采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述氧化硅薄膜表面沉积氮化硅薄膜，获得黑硅钝化膜。本发明在混酸中加入添加剂作为表面活性剂，可以有效改善黑硅纳米结构表面的润湿性和溶液渗透性，并协助混合溶液中的其他成分更高效地进入纳米孔洞内，以及提高溶液交换速率，从而保证获得完整的均匀的高质量氧化硅薄膜，更利于产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种黑硅钝化膜的制备方法，其特征在于包括：/n提供具有黑硅绒面结构的硅片；/n使所述硅片与混合溶液接触，反应形成氧化硅薄膜，其中，所述混合溶液包括浓硝酸和/或过氧化氢、浓硫酸和至少用作表面活性剂的添加剂；以及，/n采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述氧化硅薄膜表面沉积氮化硅薄膜，获得黑硅钝化膜。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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