[发明专利]一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种黑硅钝化膜的制备方法，其特征在于包括：

提供具有黑硅绒面结构的硅片；

使所述硅片与混合溶液接触，反应形成氧化硅薄膜，其中，所述混合溶液包括体积比为20~30：5~25：0.5~10的浓硝酸和/或过氧化氢、浓硫酸和至少用作表面活性剂的添加剂，所述添加剂包括柠檬酸、次氮基三亚甲基膦酸、柠檬酸钠、聚乙二醇和乙酸中的任意一种或两种以上的组合；以及，

采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述氧化硅薄膜表面沉积氮化硅薄膜，获得黑硅钝化膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述反应的温度在60℃以下，时间在10min以下。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述反应的温度为室温~60℃，时间为1~10min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化硅薄膜的厚度为1~5 nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氮化硅薄膜的厚度为70~90 nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：采用等离子刻蚀或金属催化腐蚀方法在硅片表面形成纳米级的黑硅绒面结构。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述黑硅绒面结构包括纳米锥结构和/或纳米洞结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述黑硅绒面结构所含孔洞的尺寸为100~200 nm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述黑硅绒面结构所含孔洞的尺寸为250~450 nm。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述硅片包括p型多晶硅片。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：以浓度为1~10wt%的氢氟酸溶液去除所述硅片表面的原生氧化层。

12.由权利要求1-11中任一项所述方法制备的黑硅钝化膜。

13.权利要求12所述的黑硅钝化膜于制备黑硅太阳电池中的应用。

14.一种黑硅太阳电池，其特征在于包括权利要求12所述的黑硅钝化膜。