[发明专利]一种晶圆湿法刻蚀系统有效
申请号: | 201810491385.4 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN108682639B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 陈涛;王康 | 申请(专利权)人: | 江苏明芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 郑为光 |
地址: | 226634 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于湿法刻蚀技术领域,具体的说是一种晶圆湿法刻蚀系统,包括移动模块、抓取模块、一号反应槽、二号反应槽、三号反应槽和储料筒,反应仓内壁底表面固定安装有一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽;移动模块固定安装在反应仓内壁的侧表面顶部;抓取模块安装在移动模块上,储料筒用于存放晶圆;抓取模块用于对储料筒进行抓取;储料筒从进料门输送至反应仓中;移动模块通过与抓取模块配合将储料筒中的晶圆,依次放入三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中刻蚀;最后储料筒中的晶圆通过出料门被取出;本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高刻蚀液的使用效率,能够对晶圆进行批量化刻蚀,提高了刻蚀效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 系统 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆湿法刻蚀系统,包括反应仓(1),反应仓(1)中设有进料门(11)和出料门(12);其特征在于:还包括移动模块(2)、抓取模块(3)、一号反应槽(13)、二号反应槽(14)、三号反应槽(15)和储料筒(4),所述反应仓(1)内壁底表面固定安装有一号反应槽(13)、二号反应槽(14)和三号反应槽(15);所述移动模块(2)固定安装在反应仓(1)内壁的侧表面顶部;所述抓取模块(3)安装在移动模块(2)上,所述储料筒(4)用于存放晶圆(16);抓取模块(3)用于对储料筒(4)进行抓取;所述一号反应槽(13)通过一号电磁阀(17)与二号反应槽(14)连接;所述二号反应槽(14)通过二号电磁阀(18)与三号反应槽(15)连接;所述三号反应槽(15)的内壁上设有三号喷头(51)、其用于将二号反应槽(14)中的刻蚀液喷射到三号反应槽(15)中的储料筒(4)上;所述二号反应槽(14)的内壁上设有二号喷头(52)、其用于将一号反应槽(13)中的刻蚀液喷射到二号反应槽(14)中的储料筒(4)上;所述储料筒(4)包括三号筒体(41),一号支撑架(42),夹持板(43)和储料板(44);所述夹持板(43)通过一号支撑架(42)固定安装在三号筒体(41)的顶表面,夹持板(43)形状为圆环形,夹持板(43)用于配合抓取模块(3)使用;所述储料板(44)设于三号筒体(41)的内壁上,储料板(44)能够从三号筒体(41)内壁上拆卸;储料板(44)用于存放晶圆(16);所述三号筒体(41)的表面设有三号开口(45);三号开口(45)用于将刻蚀液输送至储料板(44)上;所述储料板(44)上设有四号通孔(46)和四号开口(47);所述四号通孔(46)用于使刻蚀液能够穿过储料板(44);所述四号开口(47)安装有夹持单元,夹持单元用于对晶圆(16)进行夹持;所述夹持单元包括多个夹持部件(48)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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