[发明专利]一种晶圆湿法刻蚀系统有效
申请号: | 201810491385.4 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN108682639B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 陈涛;王康 | 申请(专利权)人: | 江苏明芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 郑为光 |
地址: | 226634 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 系统 | ||
本发明属于湿法刻蚀技术领域,具体的说是一种晶圆湿法刻蚀系统,包括移动模块、抓取模块、一号反应槽、二号反应槽、三号反应槽和储料筒,反应仓内壁底表面固定安装有一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽;移动模块固定安装在反应仓内壁的侧表面顶部;抓取模块安装在移动模块上,储料筒用于存放晶圆;抓取模块用于对储料筒进行抓取;储料筒从进料门输送至反应仓中;移动模块通过与抓取模块配合将储料筒中的晶圆,依次放入三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中刻蚀;最后储料筒中的晶圆通过出料门被取出;本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高刻蚀液的使用效率,能够对晶圆进行批量化刻蚀,提高了刻蚀效率。
技术领域
本发明属于湿法刻蚀技术领域,具体的说是一种晶圆湿法刻蚀系统。
背景技术
半导体制造技术中经常会用到各种刻蚀工艺,其中湿法刻蚀工艺主要是采用反应液对刻蚀物进行去除的刻蚀技术,具体为通过反应液与刻蚀物进行化学反应,使刻蚀物部分脱离晶圆表面,这样在晶圆上得到了所需要的表面。但是,晶圆的批量化生产中需要消耗大量的刻蚀液,如果能够对刻蚀液的利用进行改进,则能够提高生产成本。
现有技术中也出现了一些湿法刻蚀装置的技术方案,如申请号为201420593668.7的一项中国专利公开了一种湿法刻蚀装置,所述装置至少包括:腐蚀槽以及至少两个过滤器;所述腐蚀槽与每个过滤器通过第一、第二管道连接;所述第一、第二管道上分别对应设有第一、第二阀门;所述第一阀门与所述过滤器之间设有与所述第一管道相通的进液管;所述第二阀门与所述过滤器之间设有与所述第二管道相通的出液管。该技术方案虽然能够延长腐蚀槽的使用寿命,但是,该技术方案不能提高刻蚀液的使用效率,造成了成本的浪费,同时,该方案不能实现批量化自动生产;使得该发明受到了限制。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,本发明提出了一种晶圆湿法刻蚀系统,本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高刻蚀液的使用效率,能够对晶圆进行批量化刻蚀;本发明通过一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽配合来对晶圆进行分级刻蚀;通过移动模块、抓取模块和储料筒配合来对晶圆进行批量化刻蚀;提高了晶圆的刻蚀效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明提出了一种晶圆湿法刻蚀系统,包括反应仓,反应仓中设有进料门和出料门;其中,反应仓不是本发明的创新之处,在此不作赘述。还包括移动模块、抓取模块、一号反应槽、二号反应槽、三号反应槽和储料筒,所述反应仓内壁底表面固定安装有一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽;所述移动模块固定安装在反应仓内壁的侧表面顶部;所述抓取模块安装在移动模块上,所述储料筒用于存放晶圆;抓取模块用于对储料筒进行抓取;工作时,储料筒从进料门输送至反应仓中;移动模块通过与抓取模块配合将储料筒中的晶圆,依次放入三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中刻蚀;最后储料筒中的晶圆通过出料门被取出;
所述一号反应槽通过一号电磁阀与二号反应槽连接;所述二号反应槽通过二号电磁阀与三号反应槽连接;所述三号反应槽的内壁上设有三号喷头、其用于将二号反应槽中的刻蚀液喷射到三号反应槽中的储料筒上;所述二号反应槽的内壁上设有二号喷头、其用于将一号反应槽中的刻蚀液喷射到二号反应槽中的储料筒上;二号喷头和三号喷头用于对晶圆表面残留的杂质进行清理,同时,提高了刻蚀液的利用率;工作时,一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽均装有相同纯度的刻蚀液,储料筒依次在三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中进行超声波刻蚀,其用于将晶圆表面的气泡和杂质抖除;当移动模块和抓取模块配合将储料筒提起的过程中;二号喷头和三号喷头分别对储料筒进行喷淋,用于对晶圆表面的杂质进行清理。
所述储料筒包括三号筒体,一号支撑架,夹持板和储料板;所述夹持板通过一号支撑架固定安装在三号筒体的顶表面,夹持板形状为圆环形,夹持板用于配合抓取模块使用;所述储料板设于三号筒体的内壁上,储料板能够从三号筒体内壁上拆卸;储料板用于存放晶圆;所述三号筒体的表面设有三号开口;三号开口用于将刻蚀液输送至储料板上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造