[发明专利]一种集成肖特基二极管的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201810490635.2 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108447913B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;何文静;罗蕾;任敏;高巍;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成肖特基二极管的LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体埋层、第二导电类型半导体漂移区、第一导电类型半导体重掺杂区、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体缓冲层、栅氧化层、多晶硅栅、金属化源极和金属化漏极；通过在第二导电类型半导体漂移区内设置相互独立的第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构，其深度可调节，进而增大器件耐压调节的灵活性；并通过在第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构之间设置相互分离的第一第一导电类型半导体屏蔽区和第二第一导电类型半导体屏蔽区，其与肖特基电极形成反向并联的肖特基二极管，将传统结构的寄生体二极管续流模式转变为肖特基二极管续流模式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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