[发明专利]一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺有效
| 申请号： | 201810485555.8 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108558428B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 钟志宏;王志泉;李华鑫;孙博文;宋奎晶;朱志雄 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺，其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下：高纯钛碳化硅60‑80wt.％；高纯碳化硼20‑40wt.％；高纯硅，添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1‑35wt.％。本发明利用放电等离子烧结技术，在真空条件下制备了连接层厚度为50‑200μm的SiC接头，室温下最高的剪切强度达到了168.3MPa；连接层复合材料硬度可达28.7GPa，超过了SiC母材的硬度，具有较高的实用价值。由于连接层材料是由与碳化硅性能相近的复相陶瓷组成，因此连接件的抗氧化和耐腐蚀等性能也将得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 扩散 连接 碳化硅 陶瓷 复合 中间层 及其 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层，其特征在于其原料及配比构成如下：高纯钛碳化硅60‑80wt.％；高纯碳化硼20‑40wt.％；高纯硅，添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1‑35wt.％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810485555.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
