[发明专利]基于二维材料异质结的片上红外LED及制备方法有效
| 申请号： | 201810485223.X | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108695414B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 刘思捷;魏钟鸣;李京波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/18;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于二维材料异质结的片上红外LED，自下而上依次包括：衬底、第一二维绝缘薄层、第一高电导率二维薄层、N型二维薄层、直接带隙二维薄层、P型二维薄层、第二高电导率二维薄层、第二二维绝缘薄层。本公开不存在晶格失配问题，并且可通过改变有源区薄层的厚度对发光波长进行一定调整，可与硅基光子器件集成；并能增强对有源区载流子的限制，提高辐射效率；同时能够解决硅基片上光互连的光源问题，从而进一步实现片上的光通信。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 材料 异质结 红外 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维材料异质结的片上红外LED，自下而上依次包括：衬底、第一二维绝缘薄层、第一高电导率二维薄层、N型二维薄层、直接带隙二维薄层、P型二维薄层、第二高电导率二维薄层、第二二维绝缘薄层。
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