[发明专利]抗PID性能光伏电池片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种抗PID性能光伏电池片的制备方法，采用一次清洗→扩散→二次清洗→高温高压干湿氧化→PECVD→丝网印刷→测试分选→包装入库的方法制备而成，所述高温高压干湿氧化通过干氧→湿氧→干氧→湿氧→干氧交替多次氧化方法，得到了结构致密、干燥、均匀和重复性好的SiO2层，有效地掩蔽了生产过程中电池片表面残留的手套印、滚轮印，提升了电池片的良品率，同时成膜一致性好有利于生产线管控。

主权项

1.一种抗PID性能光伏电池片的制备方法，采用一次清洗→扩散→二次清洗→高温高压干湿氧化→PECVD→丝网印刷→测试分选→包装入库的方法制备而成，其特征在于：所述高温高压干湿氧化包括以下步骤：步骤一：氧化炉加温至900℃，真空压力达到400Pa并稳定后，氧化瓶温度达到90℃并稳定后，上述温度、压力应在3分钟内处于稳定状态；步骤二：在上述炉温、压力、瓶温处于稳定状态下，先通入60CC/分干氧，进行清洗/吹扫石英管；步骤三：将硅片放置在石英舟上推入炉管恒温区，关闭炉门；步骤四：待温度、压力达标稳定后开始通入干氧，时间为4分钟；步骤五：开始通入湿氧，时间为27分钟，同时加入HCL气体，时间为8分钟；步骤六：再次通入干氧，时间为4分钟；步骤七：再次通入湿氧，时间为27分钟，同时加入HCL气体，时间为8分钟；步骤八：再次通入干氧，时间为4分钟；步骤九：开启炉门，拉出石英舟，取出硅片。