[发明专利]氮化硅反应炉的吹扫方法在审
| 申请号： | 201810483320.5 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108660436A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 徐兴国;姜波;张凌越 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅反应炉的吹扫方法，在氮气吹扫之前加入氨气吹扫，该方法包括如下步骤：降低反应腔温度；将反应腔抽真空后通入氨气；通入氮气吹扫后将反应腔抽真空，多次重复该步骤。本发明在使用氮气吹扫反应炉之前先通入了氨气，通过氨气把残留的二氯二氢硅气体充分反应掉，尽可能地消除了后续批次晶圆进出反应炉时的颗粒污染源；本发明在反应腔降温过程中，多次用氮气吹扫反应腔并抽真空，可及时将反应腔中较松散的、濒临剥落的氮化硅颗粒剥落并排出，从而有效地减少了后续批次晶圆表面的剥落颗粒污染。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔 氨气 氮气吹扫 抽真空 吹扫 剥落 氮化硅反应 反应炉 氮化硅颗粒 二氯二氢硅 有效地减少 多次重复 降温过程 晶圆表面 颗粒污染 晶圆 松散 污染源 残留 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅反应炉的吹扫方法，其特征在于，用于吹扫氮化硅反应炉的反应腔，包括：降低所述反应腔温度；将所述反应腔抽真空；通入氮气吹扫后将所述反应腔抽真空，多次重复该步骤。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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