[发明专利]氮化硅反应炉的吹扫方法在审
| 申请号： | 201810483320.5 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108660436A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 徐兴国;姜波;张凌越 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应腔 氨气 氮气吹扫 抽真空 吹扫 剥落 氮化硅反应 反应炉 氮化硅颗粒 二氯二氢硅 有效地减少 多次重复 降温过程 晶圆表面 颗粒污染 晶圆 松散 污染源 残留 | ||
1.一种氮化硅反应炉的吹扫方法，其特征在于，用于吹扫氮化硅反应炉的反应腔，包括：
降低所述反应腔温度；
将所述反应腔抽真空；
通入氮气吹扫后将所述反应腔抽真空，多次重复该步骤。
2.如权利要求1所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，在吹扫过程中，利用所述氮化硅反应炉的温度控制系统实时采集监控所述反应腔的温度。
3.如权利要求1或2所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，用于吹扫由二氯二氢硅和氨气淀积氮化硅的反应炉的反应腔，在吹扫过程中，所述反应腔的温度在15-20分钟内由600摄氏度逐步降低到400摄氏度。
4.如权利要求3所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，在所述反应腔的降温过程中，在将所述反应腔抽真空之后，在通入氮气吹扫之前，先通入氨气以充分反应消耗所述反应腔内残留的二氯二氢硅。
5.如权利要求4所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，所述氨气及氮气经过过滤器净化之后再通入所述反应腔。
6.如权利要求5所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，定期对所述氨气及氮气的输送管路抽真空。
7.如权利要求1所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，在抽取所述反应腔内的气体时，对排出管路进行加热。
8.如权利要求7所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，对所述排出管路做弯折加长处理。
9.如权利要求7或8所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，在所述排出管路的末端装有冷却器以冷凝收集所述反应腔排出的反应物。
10.如权利要求1至9中任意一项所述的氮化硅反应炉吹扫方法，其特征在于，所述通入氮气吹扫后将反应腔抽真空的步骤至少重复三次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810483320.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
