[发明专利]一种太赫兹石及其制备方法在审
| 申请号： | 201810482496.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108689681A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李生春 | 申请（专利权）人： | 李生春 |
| 主分类号： | C04B32/00 | 分类号： | C04B32/00 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 严敏 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种太赫兹石及其制备方法，由以下重量份的原料制得：晶体硅40‑60、稀土元素氧化物2‑5，其制备方法如下，先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600‑1700℃后投入稀土元素氧化物，继续升温至1750‑1790℃，立即停止供电，通过原料自身的反应快速升温，升温至2400‑2800℃后，再用稳电压加热，升温至3150‑3160℃后，熔炼结束，冷却定型，制得太赫兹石。采用本发明所述的配方及方法制得的太赫兹石，在使用过程中只需经30‑50℃的热导就能产生0.1THz‑10THz的太赫兹波。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 稀土元素氧化物 熔炼 晶体硅 快速升温 冷却定型 太赫兹波 停止供电 熔炼炉 重量份 放入 热导 加热 配方 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹石，其特征在于：由以下重量配比的原料制得：晶体硅40‑60、稀土元素氧化物 2‑5，所述的晶体硅为单晶硅、多晶硅，或者在单晶硅或多晶硅生产过程中产生的边角料。
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