[发明专利]一种太赫兹石及其制备方法在审
| 申请号： | 201810482496.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108689681A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李生春 | 申请（专利权）人： | 李生春 |
| 主分类号： | C04B32/00 | 分类号： | C04B32/00 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 严敏 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 稀土元素氧化物 熔炼 晶体硅 快速升温 冷却定型 太赫兹波 停止供电 熔炼炉 重量份 放入 热导 加热 配方 | ||
【权利要求书】：
1.一种太赫兹石，其特征在于：由以下重量配比的原料制得：晶体硅40-60、稀土元素氧化物 2-5，所述的晶体硅为单晶硅、多晶硅，或者在单晶硅或多晶硅生产过程中产生的边角料。
2.根据权利要求1所述的太赫兹石，其特征在于：由以下重量配比的原料制得：晶体硅50、稀土元素氧化物 3。
3.一种权利要求1或2所述太赫兹石的制备方法，其特征在于：该方法如下，先将晶体硅放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600-1700℃后断电，投入稀土元素氧化物，通过自身升温，升温至1750-1790℃后，边排气边通电加热，升温至3150-3160℃后，熔炼结束，将熔融物倒入坩埚中冷却定型，制得太赫兹石。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述的第一次升温温度为1650℃，第二次升温温度为1790℃，第三次升温温度为3160℃。
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