[发明专利]一种塑封SiC肖特基二极管器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810467692.9 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN108538924A 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 钱清友;王成森;徐洋;范敏波;江林华 申请(专利权)人: 捷捷半导体有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L23/367;H01L21/329
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 卢海洋
地址: 226200 江苏省南通市苏通科技产*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件,包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片,其制造方法为:将金属散热底板放置于模具内,在金属散热底板的凸台上表面点上适量焊膏;将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置放置在凸台上表面,并在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区表面和外引脚焊接区同时点上适量焊膏;将连接桥片焊接A区和B区同时分别放置在阴极区和外引脚焊接区上;将装配好的产品连同模具一起进行一次性真空烧结,待烧结完成后,进行清洗、塑封,完成封装,形成产品,本发明极大的提高了芯片散热效果,缩短工艺流程,提高生产效率,极大的提高了器件的通流能力,充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
搜索关键词: 肖特基二极管芯片 金属散热底板 外引脚 塑封 肖特基二极管器件 凸台上表面 连接桥片 焊接区 阴极区 焊膏 模具 能力优势 生产效率 通流能力 芯片散热 真空烧结 倒置 烧结 工艺流程 阳极面 一次性 朝上 高通 封装 焊接 制造 装配 清洗
【主权项】:
1.一种塑封SiC肖特基二极管器件,其特征在于:包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片,所述金属散热底板顶部中心区域设有凸台,所述外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端,所述SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的的阴极区,所述连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区,所述SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方,所述SiC肖特基二极管芯片朝上的的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连,所述连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接。
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