[发明专利]一种塑封SiC肖特基二极管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种塑封SiC肖特基二极管器件，其特征在于：包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，所述金属散热底板顶部中心区域设有凸台，所述外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端，所述SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的的阴极区，所述连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区，所述SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方，所述SiC肖特基二极管芯片朝上的的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连，所述连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接。

2.根据权利要求1所述的一种塑封SiC肖特基二极管器件，其特征在于：所述凸台为长方形或正方形。

3.根据权利要求1所述的一种塑封SiC肖特基二极管器件，其特征在于：所述SiC肖特基二极管芯片完全覆盖于凸台上表面，并延伸出凸台四周边沿，与金属散热底板顶面非凸台区形成空隙区。

4.根据权利要求1所述的一种塑封SiC肖特基二极管器件，其特征在于：所述连接桥片焊接A区为长方形或正方形。

5.根据权利要求1所述的一种塑封SiC肖特基二极管器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：将金属散热底板放置于模具内，在金属散热底板的凸台上表面点上适量焊膏；

步骤2：将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置放置在凸台上表面，并在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区表面和外引脚焊接区同时点上适量焊膏；

步骤3：将连接桥片焊接A区和连接桥片焊接B区同时分别放置在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区和外引脚焊接区上；

步骤4：将装配好的产品连同模具一起进行一次性真空烧结，条件为：真空度小于1×10^0MPa，加热至330-370℃，烧结时间15-16min，待烧结完成后，通150-250L/min的氮气进行冷却，冷却到指示温度在80℃以下出炉，进行清洗、塑封，完成封装，形成产品。