[发明专利]静电放电（ESD）保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法有效
| 申请号： | 201810464729.2 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108878403B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 吉耶兹·简·德拉德;赖大伟 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种静电放电(ESD)保护装置以及一种用于操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，一种ESD保护装置包括：双极型晶体管装置，其连接在第一节点与第二节点之间；串联保护装置，其与所述双极型晶体管装置串联连接；以及二极管装置，其连接在所述第二节点与第三节点之间。待保护NMOS装置的漏极端能够连接至所述第一节点。所述待保护NMOS装置的主体能够连接至所述第二节点。所述待保护NMOS装置的源极端能够连接至所述第三节点。所述二极管装置和所述双极型晶体管装置被配置成形成寄生可控硅整流器。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 esd 保护装置 以及 用于 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电(ESD)保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：双极型晶体管装置，其连接在第一节点与第二节点之间，其中待保护NMOS装置的漏极端能够连接至所述第一节点，并且其中所述待保护NMOS装置的主体能够连接至所述第二节点；串联保护装置，其与所述双极型晶体管装置串联连接；以及二极管装置，其连接在所述第二节点与第三节点之间，其中所述待保护NMOS装置的源极端能够连接至所述第三节点；其中所述二极管装置和所述双极型晶体管装置被配置成形成寄生可控硅整流器。
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