[发明专利]静电放电（ESD）保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法

说明书

描述了一种静电放电(ESD)保护装置以及一种用于操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，一种ESD保护装置包括：双极型晶体管装置，其连接在第一节点与第二节点之间；串联保护装置，其与所述双极型晶体管装置串联连接；以及二极管装置，其连接在所述第二节点与第三节点之间。待保护NMOS装置的漏极端能够连接至所述第一节点。所述待保护NMOS装置的主体能够连接至所述第二节点。所述待保护NMOS装置的源极端能够连接至所述第三节点。所述二极管装置和所述双极型晶体管装置被配置成形成寄生可控硅整流器。还描述了其它实施例。

技术领域

本发明的实施例总体上涉及电子硬件以及用于操作电子硬件的方法，并且更具体地说，涉及静电放电(ESD)保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法。

背景技术

ESD保护装置可以集成到集成电路(IC)芯片中以提供低阻抗通道，进而防范IC芯片中的热损伤。在如ESD冲击或ESD测试等ESD事件期间，ESD保护装置对ESD电流脉冲进行分流以保护核心电路。

发明内容

描述了一种ESD保护装置以及一种操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，一种ESD保护装置包括：双极型晶体管装置，连接在第一节点与第二节点之间；串联保护装置，与所述双极型晶体管装置串联连接；以及二极管装置，连接在所述第二节点与第三节点之间。待保护NMOS装置的漏极端可连接至所述第一节点。所述待保护NMOS装置的主体可连接至所述第二节点。所述待保护NMOS装置的源极端可连接至所述第三节点。所述二极管装置和所述双极型晶体管装置被配置成形成寄生可控硅整流器(SCR)。还描述了其它实施例。

在实施例中，所述二极管装置与所述双极型晶体管装置之间的距离短于预定义阈值。

在实施例中，所述二极管装置与所述双极型晶体管装置重叠。

在实施例中，所述二极管装置形成于所述双极型晶体管装置的边界内。

在实施例中，所述二极管装置形成于所述双极型晶体管装置的基板接触环内。

在实施例中，所述串联保护装置连接至所述第一节点，并且所述双极型晶体管装置连接至所述第二节点。

在实施例中，所述双极型晶体管装置包括PNP双极型晶体管或NPN双极型晶体管。

在实施例中，所述双极型晶体管装置包括电阻器，所述电阻器连接在所述双极型晶体管装置的发射极与所述双极型晶体管装置的基极之间。

在实施例中，所述串联保护装置包括双极型晶体管或二极管。

在实施例中，所述双极型晶体管包括电阻器，所述电阻器连接在所述双极型晶体管的发射极与所述双极型晶体管的基极之间。

在实施例中，所述二极管装置包括至少一个二极管。

在实施例中，所述寄生可控硅整流器被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收到的ESD脉冲而是不活动的。

在实施例中，所述寄生可控硅整流器被配置成响应于在所述第一节点与所述第三节点之问接收到的ESD脉冲而是活动的。

在实施例中，一种集成电路IC装置包括所述ESD保护装置和所述待保护NMOS装置。

在实施例中，一种ESD保护装置包括：第一PNP双极型晶体管，连接在第一节点与第二节点之间；第二PNP双极型晶体管，与所述第一PNP双极型晶体管串联连接；以及二极管，连接在所述第二节点与第三节点之间。待保护NMOS装置的漏极端可连接至所述第一节点，所述待保护NMOS装置的主体可连接至所述第二节点，并且所述待保护NMOS装置的源极端可连接至所述第三节点。所述第一PNP双极型晶体管和所述二极管被配置成形成寄生可控硅整流器。所述二极管形成于所述第一PNP双极型晶体管的边界内。