[发明专利]AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；2)光刻：在AlGaN APD器件样品表面制作厚的光刻胶；3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成极小的倾斜角度；4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上；5)去胶：去除残留光刻胶。本发明提供的方法具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。主要体现在以下两个方面：一方面，通过对光刻胶后烘温度和时间的控制，可实现对掩蔽层图形倾斜角度控制的精确控制；另一方面，通过调节掩蔽层的刻蚀工艺参数，也可在AlGaN基材料中获得具有不同倾斜角度的侧壁。

主权项

1.一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；2)光刻：采用可以形成厚膜的光刻胶，在AlGaN APD器件样品表面制作厚度范围在6‑10μm的光刻胶；3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成12°‑18°的倾斜角度；4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上形成倾斜侧壁，其横断面为梯形；5)去胶：将刻蚀后的AlGaN APD器件样品放入强氧化剂中去除残留光刻胶。