[发明专利]AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法

权利要求书

1.一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：

1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；

2)光刻：采用可以形成厚膜的光刻胶，在AlGaN APD器件样品表面制作厚度范围在6-10μm的光刻胶；

3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成12°-18°的倾斜角度；

4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上形成倾斜侧壁，其横断面为梯形；

5)去胶：将刻蚀后的AlGaN APD器件样品放入强氧化剂中去除残留光刻胶。

2.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤2)中光刻胶为AZ P4620。

3.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤2)中涂胶参数为：匀胶转速为2500-5000r/min，时间为60s；软烘温度为100℃，时间为4-7min；光刻机光强为10mW/cm²，曝光时间为60s，；显影溶液为AZ 400K:H₂O＝1:4的稀释液，显影时间为80s，后烘温度为110℃，时间为1min。

4.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤3)中烘烤温度为180℃，烘烤时间为10-20min。

5.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤4)中干法刻蚀为感应耦合等离子体刻蚀。

6.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤1)中将AlGaN APD器件样品依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水进行超声清洗，然后烘干，去除表面水汽。

7.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤5)中将AlGaN APD器件样品放入强氧化剂中去除残留掩蔽层后，再依次采用丙酮、无水乙醇进行超声清洗，最后用大量去离子水漂洗，氮气吹干。

8.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：步骤5)中所述强氧化剂为98％的浓硫酸和30％的过氧化氢，按照体积比3:1混合。

9.根据权利要求1所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：AlGaN APD器件样品上倾斜侧壁中侧壁与水平面的夹角为8.4°～14°，侧壁垂直高度为0.38～1.04μm。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其特征在于：所述AlGaN APD器件样品的材料由AlGaN替换为GaN。