[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板有效

专利信息
申请号: 201810450327.7 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108766972B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 张文林;孙建明;胡合合 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板。所述薄膜晶体管的制作方法通过降低金属氧化物材料成膜时的氧含量,能够降低成膜的方块电阻率,使其满足导电材料的要求,从而能够通过金属氧化物来制作薄膜晶体管的源电极和漏电极,使得源电极和漏电极可以与有源层由同一成膜腔室制备,省去制备源电极和漏电极的成膜设备腔室,提高了薄膜晶体管的量产效率,节约了显示基板的生产成本。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,包括:形成源电极、漏电极和有源层;其特征在于,形成源电极、漏电极和有源层的步骤包括:在第一预设的氧含量氛围下,利用第一金属氧化物材料形成第一薄膜,在第二预设的氧含量氛围下,利用第二金属氧化物材料形成第二薄膜,所述第一薄膜用于形成有源层,所述第二薄膜用于形成源电极和漏电极,其中,所述第二预设的氧含量小于所述第一预设的氧含量。
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