[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成源电极、漏电极和有源层；

其特征在于，形成源电极、漏电极和有源层的步骤包括：

在第一预设的氧含量氛围下，利用第一金属氧化物材料形成第一薄膜，在第二预设的氧含量氛围下，利用第二金属氧化物材料形成第二薄膜，所述第一薄膜用于形成有源层，所述第二薄膜用于形成源电极和漏电极，其中，所述第二预设的氧含量小于所述第一预设的氧含量，第一金属氧化物材料和第二金属氧化物材料直接接触，第一金属氧化物材料和第二金属氧化物材料均选择包括氧化铟镓锡和氧化铟的混合物，第一金属氧化物材料和第二金属氧化物材料中铟含量大于或等于50％；

所述在第二预设的氧含量氛围下，利用第二金属氧化物材料形成第二薄膜包括：在无氧的氛围下，通入水蒸气，利用所述第二金属氧化物材料形成第二薄膜；

形成源电极、漏电极和有源层的步骤还包括：

在第一温度下对所述第一薄膜进行退火工艺，所述第一温度位于300℃-420℃范围内；

在第二温度下对所述第二薄膜进行退火工艺，所述第二温度位于240℃～260℃范围内。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二预设的氧含量小于或等于30％。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二预设的氧含量为30％，所述第二薄膜的厚度大于或等于

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第二预设的氧含量氛围下，并通入含H原子的气体，利用所述第二金属氧化物材料形成第二薄膜。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述水蒸气的通入速度大于或等于1sccm，所述第二薄膜的厚度大于或等于

6.根据权利要求1-5任一项所述的制作方法，其特征在于，形成源电极、漏电极和有源层的步骤具体为：

在所述第一薄膜上形成所述第二薄膜；

对所述第一薄膜和第二薄膜进行一次构图工艺，形成源电极、漏电极和有源层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，对所述第一薄膜和第二薄膜进行一次构图工艺，形成源电极、漏电极和有源层的步骤包括：

在所述第二薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述源电极和漏电极所在的区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述有源层所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应其他区域；

去除光刻胶不保留区域的第一薄膜和第二薄膜；

通过灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，然后去除所述光刻胶部分保留区域的第二薄膜；

剥离剩余的光刻胶，形成有源层、源电极和漏电极。

8.一种采用权利要求1-7任一项所述的制作方法制得的薄膜晶体管，包括有源层、源电极和漏电极，其特征在于，所述源电极和漏电极与所述有源层的材料均选择金属氧化物材料。

9.一种显示基板，其特征在于，采用权利要求8所述的薄膜晶体管。