[发明专利]FINFET装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201810442557.9 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878292B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 窦新元;余鸿;胡振宇;张兴 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及缩减FINFET短沟道栅极高度的方法，所提供的是使FinFET装置上的SC GH缩减同时保护LC装置的方法及所产生的装置。具体实施例包括在FinFET装置的衬底上方形成ILD，该ILD具有SC区与LC区；分别在该SC区与LC区内形成SC栅极与LC栅极，该SC及LC栅极的上表面与该ILD的上表面实质共面；在该LC区上方形成光刻堆栈；使该SC栅极凹陷；将该光刻堆栈剥除；在该SC区与LC区上方形成SiN覆盖层；在该SiN覆盖层上方形成TEOS层；以及平坦化该TEOS层。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：在鳍式场效应晶体管(FinFET)装置的衬底上方形成层间介电质(ILD)，该ILD具有短沟道(SC)区及长沟道(LC)区；分别在该SC区与LC区内形成SC栅极与LC栅极，该SC栅极及LC栅极的上表面与该ILD的上表面实质共面；在该LC区上方形成光刻堆栈；使该SC栅极凹陷；将该光刻堆栈剥除；在该SC区与LC区上方形成氮化硅(SiN)覆盖层；在该SiN覆盖层上方形成四乙氧基硅烷(TEOS)层；以及平坦化该TEOS层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司，未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810442557.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成低K间隔件的方法
- 下一篇：用于形成垂直晶体管器件中的柱的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
