[发明专利]FINFET装置及其形成方法

说明书

本发明涉及缩减FINFET短沟道栅极高度的方法，所提供的是使FinFET装置上的SC GH缩减同时保护LC装置的方法及所产生的装置。具体实施例包括在FinFET装置的衬底上方形成ILD，该ILD具有SC区与LC区；分别在该SC区与LC区内形成SC栅极与LC栅极，该SC及LC栅极的上表面与该ILD的上表面实质共面；在该LC区上方形成光刻堆栈；使该SC栅极凹陷；将该光刻堆栈剥除；在该SC区与LC区上方形成SiN覆盖层；在该SiN覆盖层上方形成TEOS层；以及平坦化该TEOS层。

技术领域

本发明是关于形成鳍式场效应晶体管(FinFET)装置的方法。本发明尤其适用于14纳米(nm)及更先进的技术节点。

背景技术

用于在14nm FinFET装置上形成短沟道(SC)与长沟道(LC)装置的习知程序会使两装置在金属栅极化学机械研磨(CMP)后有28nm的栅极高度(GH)。在SC鳍片顶端功函数(WF)金属与栅极表面之间产生的裕度例如为14nm至15nm，比LC装置的裕度大更多。期望的是能够缩减SC GH或缩小裕度以降低装置的有效电容(C_eff)，并因此改善装置的环式振荡器(RO)效能。然而，FinFET装置上的LC装置在被进一步研磨蚀，无法避免的会有因长与宽栅极区上极为有限的LC裕度以及常见的CMP凹陷问题而使LC鳍片顶端WF金属曝露的风险。

因此，需要能够使FinFET装置上的SC GH缩减但不使LC装置的鳍片曝露的方法、以及所产生的装置。

发明内容

本发明的一态样为使FinFET装置上SC GH缩减同时保护LC装置的程序。

本发明的另一态样是一种FinFET装置，其具有比LC GH更低的SC GH。

本发明的再一态样是一种FinFET装置，其具有比LC GH与区域更低的SC GH与区域。

本发明的附加态样及其它特征将会在以下说明中提出，并且对于审查以下内容的所属技术领域中具有通常知识者部分将会显而易见，或可经由实践本发明来学习。可如随附权利要求书中特别指出的内容来实现并且获得本发明的优点。

根据本发明，可通过一种方法来部分达成一些技术功效，该方法包括：在FinFET装置的衬底上方形成层间介电质(ILD)，该ILD具有SC区与LC区；分别在该SC区与LC区内形成SC栅极与LC栅极，该SC及LC栅极的上表面与该ILD的上表面实质共面；在该LC区上方形成光刻堆栈；使该SC栅极凹陷；将该光刻堆栈剥除；在该SC区与LC区上方形成氮化硅(SiN)覆盖层；在该SiN覆盖层上方形成四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate；TEOS)层；以及平坦化该TEOS层。