[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810442488.1 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN108550618B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/417;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;郑冀之 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道，所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，进一步包含耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，具有表面和背面；第1栅极沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面而形成；第2栅极沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面而以与所述第1栅极沟槽相同的宽度形成；以及源极沟槽，在所述第1栅极沟槽和所述第2栅极沟槽之间形成且宽度比所述第1栅极沟槽大。
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