[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底，具有表面和背面，且形成有第1导电型的漏极区域；

第2导电型的阱区域，形成在所述漏极区域上；

环状的所述第1导电型的源极区域，形成在所述阱区域的表面部；

第1栅极沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面而以贯通所述源极区域及所述阱区域并到达所述漏极区域的方式形成；

第2栅极沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面而以与所述第1栅极沟槽相同的宽度形成；

环状的源极沟槽，形成在所述第1栅极沟槽和所述第2栅极沟槽之间，所述源极沟槽具有与所述第1栅极沟槽及所述第2栅极沟槽相同的深度，且被所述环状的源极区域包围；以及

第2导电型的接触区域，在所述环状的源极沟槽的内侧以岛状形成，

所述源极区域以露出所述第1栅极沟槽的侧面及所述源极沟槽的侧面的方式横跨所述第1栅极沟槽和所述源极沟槽之间地形成，

所述阱区域形成至所述源极沟槽的深度方向的中途。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有：

栅极电极，以隔着栅极绝缘膜而埋入所述第1栅极沟槽的方式形成；

表面绝缘膜，以覆盖所述第1栅极沟槽的方式形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面绝缘膜使所述源极区域选择性地露出。

4.如权利要求1~3的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底是SiC衬底。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1导电型是p型，第2导电型是n型。

6.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，具有表面和背面，且形成有第1导电型的漏极区域；

第2导电型的阱区域，形成在所述漏极区域上；

环状的所述第1导电型的源极区域，形成在所述阱区域的表面部；

第1沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面并以贯通所述源极区域及所述阱区域而到达所述漏极区域的方式形成；

第2沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面而以与所述第1沟槽相同的宽度形成；

环状的第3沟槽，从所述半导体衬底的表面朝向背面而以与所述第1沟槽及所述第2沟槽相同的宽度及相同的深度形成，所述环状的第3沟槽被所述环状的源极区域包围；以及

第2导电型的接触区域，在所述环状的源极沟槽的内侧以岛状形成，

所述第1沟槽及所述第2沟槽分别具有：

栅极绝缘膜、以隔着所述栅极绝缘膜埋没的方式形成的栅极电极以及以部分覆盖所述栅极电极和所述半导体衬底的方式形成的表面绝缘膜，

所述源极区域以露出所述第1沟槽的侧面及所述第3沟槽的侧面的方式横跨所述第1沟槽和所述第3沟槽之间地形成，

所述阱区域形成至所述第3沟槽的深度方向的中途。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面绝缘膜使所述源极区域选择性地露出。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1沟槽及所述第2沟槽的、各自的所述栅极绝缘膜底面部比侧面部厚。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1沟槽及所述第2沟槽的、各自的所述栅极电极是多晶硅。

10.如权利要求6~9的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底是SiC衬底。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1导电型是p型，第2导电型是n型。

12.一种如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有：

单元部，包括所述漏极区域、所述阱区域、所述源极区域、所述第1栅极沟槽、所述第2栅极沟槽及所述源极沟槽；

外周部，配置在所述单元部的周围；以及

表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，并且形成为在所述单元部比所述外周部的部分更薄。