[发明专利](HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体及高熵陶瓷粉体和高熵陶瓷块体的制备方法在审
| 申请号： | 201810434858.7 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108439986A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王一光;王毅;王皓轩;陈意高;任科 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/626 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体及高熵陶瓷粉体和高熵陶瓷块体的制备方法，通过高能球磨法将五种面心立方(FCC)碳化物粉体制成陶瓷粉体，然后采用放电等离子方法实现高熵陶瓷块体的制备，能够在1700℃‑2350℃温度范围内实现陶瓷的快速烧结，获得具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷。本发明解决了(HfTaZrTiNb)C高熵块体陶瓷的制备问题，通过严格控制放电等离子烧结炉或热压炉参数，并通过XRD进行表征，最终获得具有FCC结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系。 | ||
| 搜索关键词： | 高熵 陶瓷粉体 制备 陶瓷块体 陶瓷 面心立方 放电等离子烧结炉 放电等离子 高能球磨法 块体陶瓷 快速烧结 陶瓷材料 热压炉 碳化物 | ||
【主权项】：
1.一种(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体，其特征在于：陶瓷为面心立方FCC结构的单相陶瓷，包括以下原子百分比的碳化物：17％～23％的TaC、17％～23％的HaC、17％～23％的NbC、17％～23％的TiC和17％～23％的ZrC。
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