[发明专利](HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体及高熵陶瓷粉体和高熵陶瓷块体的制备方法在审
| 申请号： | 201810434858.7 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108439986A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王一光;王毅;王皓轩;陈意高;任科 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/626 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高熵 陶瓷粉体 制备 陶瓷块体 陶瓷 面心立方 放电等离子烧结炉 放电等离子 高能球磨法 块体陶瓷 快速烧结 陶瓷材料 热压炉 碳化物 | ||
1.一种(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体，其特征在于：陶瓷为面心立方FCC结构的单相陶瓷，包括以下原子百分比的碳化物：17％～23％的TaC、17％～23％的HaC、17％～23％的NbC、17％～23％的TiC和17％～23％的ZrC。
2.一种制备权利要求1所述(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1、非晶态陶瓷粉体制备：将：17％～23％的TaC、17％～23％的HaC、17％～23％的NbC、17％～23％的TiC和17％～23％的ZrC，五种粉末进行球磨，得到成分均匀的非晶态陶瓷混合物；
步骤2、高熵陶瓷粉体制备：将得到非晶态陶瓷混合物在1400～2000℃热处理，热处理时间≥2h，获得(HfTaZrTiNb)C晶态高熵陶瓷粉体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述球磨时的转速为500～800r/min。
4.一种利用权利要求2或3所制备的非晶态陶瓷粉体或高熵陶瓷粉体制备高熵陶瓷块体的方法，其特征在于：将步骤1的非晶态陶瓷粉体或步骤2的(HfTaZrTiNb)C晶态高熵陶瓷粉体置于石墨模具中，在放电等离子体炉或热压炉中进行烧结，得到(HfTaZrTiNb)C块体陶瓷，其烧结工艺如下：
加热方式：交流脉冲电流或辐射加热
烧结温度：1700℃～2350℃
烧结时间：5～60min或4～10h
烧结压力：30～60MPa
升温速率：50～150℃/min。
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